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IRFP250N

Power MOSFET(Vdss = 200 V, Rds(on)=0.075ohm, Id=30A)

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1. Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low

on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that

HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for

use in a wide variety of applications.

 

 

2.  Features 

> Advanced Process Technology

> Dynamic dv/dt Rating

> 175°C Operating Temperature

> Fast Switching

> Fully Avalanche Rated

> Ease of Paralleling

> Simple Drive Requirements

 

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