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NM27C512QE150

524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM

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  • Verkapselung: DIP-28
  • Marke: National Semiconductor
  • Serie: -
  • Verpackung: Tube
  • Teilstatus: Obsolete
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Memory Format: EPROM
  • Technologie: EPROM - UV
  • Speichergröße: 512Kb (64K x 8)
  • Write Cycle Time - Word, Page: -
  • Zugriffszeit: 150ns
  • Memory Interface: Parallel
  • Spannungsversorgung: 4.5 V ~ 5.5 V
  • Betriebstemperaturbereich: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart: Through Hole
  • Paket / Fall: 28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window
  • Lieferantengerätepaket: 28-CDIP

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NM27C512QE150

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EPROM - UV Memory IC 512Kb (64K x 8) Parallel 150ns 28-CDIP

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