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FQPF6N80C

800V N-Channel Advance Q-FET C-Series
Package: TO-220F
No of Pins: 3
Container: Rail

91445

5.0 out of 5 stars

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5 star 99.4%

Gesamt Produktanzahl: 0

Gesamtumsatz: 0

Umsatzklassifizierung:

Elektronikkomponenten,Induktivitäten & Ferritperlen & Transformatoren,Entwicklungstool,Zubehör&Tools,Schaltkreisschutz,LED-Beleuchtung,Sensoren,Elektromechanik,Prüfen&Messen,Handy-Ersatzteile,Glasfaseroptik

Vertrieb:5

Vorratzustand: 149986

Mindestbestellmenge:5

Preis:
US $0.41
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Favorit

  • Verkapselung: TO-220
  • Marke: Fairchil
  • Datumscode: 03+
  • Kanaltyp: N
  • Maximaler kontinuierlicher Drain-Strom: 5.5 A
  • Maximale Drain-Quellenspannung: 800 V
  • Maximaler Drain-Source-Widerstand: 2.5 Ω
  • Minimum Gate Threshold Spannung: 3V
  • Maximale Gate-Quellenspannung: -30 V, +30 V
  • Verpackungsart: TO-220F
  • Befestigungsart: Through Hole
  • Transistor Konfiguration: Single
  • Pin-Anzahl: 3
  • Kanalmodus: Enhancement
  • Kategorie: Power MOSFET
  • Maximale Verlustleistung: 51 W
  • Typische Eingangskapazität @ Vds: 1010 pF@ 25 V
  • Serie: QFET
  • Höhe: 9.19mm
  • Typische Torladung @ Vgs: 21 nC @ 10 V
  • Typische Einschaltverzögerungszeit: 26 ns
  • Minimale Betriebstemperatur: -55 °C
  • Anzahl der Elemente pro Chip: 1
  • Breite: 4.7mm
  • Transistor-Material: Si
  • Maximale Betriebstemperatur: +150 °C
  • Maße: 10.16 x 4.7 x 9.19mm
  • Länge: 10.16mm
  • Typische Ausschaltverzögerungszeit: 47 ns
  • ≥1: US $0.40541 US $0.36487
  • ≥10: US $0.36487 US $0.32838
  • ≥100: US $0.32433 US $0.29189
  • ≥1000: US $0.31419 US $0.28277
  • ≥2500: US $0.30406 US $0.27365
  • ≥5000: US $0.29392 US $0.26453
  • ≥10000: US $0.28379 US $0.25541

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  • Hoher Wirkungsgrad
  • Hohe Geschwindigkeit
  • Sicherheit
  • Komfort
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FQPF6N80C


Brand:FAIRCHIL


Features

-5.5A, 800V, RDS(on) = 2.5? @VGS = 10 V

-Low gate charge ( typical 21 nC)

-Low Crss ( typical 8 pF)

-Fast switching

-100% avalanche tested

-Improved dv/dt capability


Description

These N-Channel enhancement mode power field effect

transistors are produced using Fairchild’s proprietary,

planar stripe, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to

minimize on-state resistance, provide superior switching

performance, and withstand high energy pulse in the

avalanche and commutation mode. These devices are well

suited for high efficiency switch mode power supplies.


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FQPF6N80C 800V N-Channel Advance Q-FET C-Series<br/> Package: TO-220F<br/> No of Pins: 3<br/> Container: Rail
  • FQPF6N80C
  • FQPF6N80C
  • FQPF6N80C

Datenblatt

QFET? N-Channel MOSFET, up to 5.9A, Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor’s new QFET? planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control. They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET? process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

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